بررسی خواص ظرفیت دی الکتریک نانوساختار سیلیکان متخلخل

thesis
abstract

تخلخل هایی با قطر نانومتری با روش الکتروشیمیایی و با استفاده از محلول الکترولیت اتانول و اسید بر روی پایه های سیلیکان نوع ایجاد گردید. با استفاده از اندازه گیری درصد تخلخل و نیز محاسبه ظرفیت دی الکتریک، رابطه بین این دو پارامتر در نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل بررسی گردید. در این مطالعه مشخص شد که افزایش زمان خوردگی موجب افزایش درصد تخلخل شده که کاهش ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل را سبب می شود. همچنین با اندازه گیری تغییرات ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل بر حسب فرکانس، تغییرات برخی پارامترهای مهم از قبیل ضریب گذردهی، رسانندگی الکتریکی ،ضریب شکست و درصد تخلخل برحسب فرکانس اعمال شده بر این ماده در مدار طراحی شده بررسی شدند. در این بررسی ها مشخص شد که عوامل زیادی بر رفتارهای دی الکتریکی سیلیکان متخلخل تأثیر می گذارند که یکی از مهم ترین و مؤثر ترین این عوامل به ساختار هندسه فراکتالی این ماده بر می گردد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

  Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet.   In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...

full text

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (pl) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی, جذب و عبور نور از ps بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمون...

full text

بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

  We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelengt...

full text

واهلش دی الکتریک نانو ساختار های سیلیکان متخلخل

برای ساخت سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p با مقاومت -cm? 10-1 و با جهت بلوری (100) استفاده شده است. تخلخل بوسیله فرآیند الکتروشیمیایی، در محلول حاوی اسید hf و اتانول و با نسبت حجمی (1:1) صورت گرفته است. در طول زمان آندیزاسیون تمامی عوامل موثر بر میزان تخلخل مانند جنس سیلیکان زیر لایه، نوع محلول، شرایط محیط ( روشنایی، دمای محیط، میزان رطوبت) و چگالی جریان ثابت نگاه داشته شده و تنها با تغبیر...

بررسی تغییرات تخلخل بر خواص الکتریکی نانوساختار دی اکسید تیتانیوم بر روی سیلیکان متخلخل

در این پایان نامه، سه نمونه سیلیکان متخلخل (ps) با درصد تخلخل های 15، 29 و 40 با استفاده از روش آندی سازی الکتروشیمیایی به عنوان زیر لایه ساخته شد، سپس با استفاده از آنالیز fesem مورفولوژی سطح نمونه های ساخته شده مورد بررسی قرار داده شد. سپس با استفاده از دو روش پوشش دهی چرخشی و پرتو الکترونی، لایه نازکی از نانوذرات tio2 بر روی ps لایه نشانی شد. نمونه های تهیه شده با استفاده از آنالیز xrd و edx...

بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیلیکان کپه ای کاملا متفاوت است, در نظر گرفته می شود. ضرایب اپتیکی سیلیکان متخلخل در فرود عمود و در بازه طول موج 200um≤λ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023